一、HSPM-05VT变温霍尔测试系统有哪些优势
HSPM-05VT变温霍尔测试系统由霍尔测试仪、液氮存储式恒温器以及永磁铁运动组织组成，可以给样品给予一个85K到500K的陆续在变温、0.5T垂直磁场测试环境，可以测试变温下的霍尔参数，为既需要低温又需要高温的科研实验给予了极大的便利。这是一款性价比极高，也是使用用户较多的霍尔测试系统，可以实现较大范围的温度测试，也可配其它电表，作为一个纯粹的温度环境和磁环境用于其它测试。
二、HSPM-05VT变温霍尔测试系统有哪些系统特点
• 双层样品座设计，底部为光学样品座，顺利获得增加四探针加四接线柱样品座盖板实现探针样品座功能。接线柱支持增加探针，改造为六探针样品座，能同时满足霍尔巴样品和范德堡样品的测试；
• 装有调节支架，可调整恒温器竖直方向的位置；
• 磁铁移动装置可使永磁铁前后移动和翻转；
• 可快速打开样品室，更换样品；
• 液氮可以顺利获得顶端的液氮补充口方便的灌装，补充液氮不会影响系统的控温；
• 恒温器带有液氮流量调节杆，可以用来调节恒温器的冷量；
• 与低温同轴电缆和三同轴/SMA接头配合使用，漏电流小于1pA@1V；
• 内置加热器和传感器与外部的控温仪配合实现低温恒温器的变温和控温。
三、HSPM-05VT变温霍尔测试系统有哪些测试材料
• 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等；
• 光伏材料/太阳能电池：（A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等）；
• 有机材料：（OFET、OLED）；
• 透明导电金属氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（铟镓锌氧化物）等）；
• 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等；
• 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等。
